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SOI硅片/絕緣體上硅/SOI Wafers

    詳細說明

        本公司可以為客戶提供多種規格、高質量的SOI硅片(Silicon On Insulator——絕緣體上硅),適用于客戶包括MEMS,功率器件,壓力傳感器和CMOS集成電路制造的廣泛應用。 SOI晶圓為高速和低功耗器件提供了良好的解決方案,被廣泛認為是高壓和RF器件的新解決方案。 SOI晶圓是一種類似三明治(Sandwitch)的夾層式結構,一共有三層;包括頂層(器件層),中間的埋氧層(為絕緣SiO2層)和底層的襯底(體硅)。     SOI晶圓采用SIMOX法和晶圓鍵合技術生產而成,從而可以實現更薄更精確的器件層,均勻的厚度均勻和缺陷密度低等目標。
        本公司可提供直徑為2″、3″、4″、5″、6″和8″的SOI晶圓,可選擇的寬闊電阻率范圍0.001~100,000 ohm-cm,從100nm(1000?)~300um的寬范圍器件層厚度可滿足眾多客戶獨特的SOI要求。
        本公司強化廣泛合作以滿足客戶即時所求的需求,與國際多家生產商與分銷商建立了合作關系,搭建成全球zui大的SOI晶圓現貨供應網絡,此外為滿足科研及企業客戶早期研發的需求,可以承接10pcs起的定制訂單。
    基于客戶多元化的強勁需求,我們與原廠通力合作,可以為客戶提供可定制的SOI晶圓:
    》超厚SOI晶圓                                》腔體SOI Cavity SOI
    》超薄SOI晶圓                                》雙面SOI Double SOI(DSOI)
    》超均勻度SOI晶圓                            》多層SOI Multiple SOI
    》超平SOI晶圓                                》 鍵合SOI Bonded SOI
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