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微波射頻類襯底

    詳細說明

       本公司生產銷售2寸、3寸、4寸、6寸砷化鎵單晶襯底,產品規格可定制。
       晶片規格有N型(摻硅Si)、P型(摻鋅Zn)和非摻雜。
    產品簡介
        砷化鎵(gallium arsenide),化學式GaAs,屬Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體,由砷和鎵兩種元素化合而成,外觀呈亮灰色,具金屬光澤、性脆而硬,是當代國際公認的繼"硅(Silicon)"之后最成熟的化合物半導體材料,具有高頻率、高電子遷移率、高輸出功率、低噪音以及線性度良好等優越特性,是光電子和微電子工業最重要的支撐材料之一。
        在光電子工業領域應用層面,砷化鎵單晶可被用于制作LD(激光器)、LED(發光二極管)、光電集成電路(OEIC)、光伏器件等;
        在微電子工業領域應用層面,可被用于制作MESFET(金屬半導體場效應管)、HEMT(高電子遷移率晶體管)、HBT(異質結雙極晶體管)、IC、微波二極管、Hall器件等。
        主要涉及高端軍事電子應用、光纖通信系統、寬帶衛星無線通信系統、測試儀器、汽車電子、激光、照明等領域。作為重要的半導體材料,GaAs的電子遷移率為硅和氮化鎵的5倍,用于中小功率微波器件具有更低的功率損耗,因此在手機通訊、局域無線網、GPS和汽車雷達等領域中占主導地位。
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