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區熔硅單晶硅片

    詳細說明

    超高阻區熔硅單晶(FZ-Silicon)
    通過區熔工藝拉制的低雜質含量、低缺陷密度,晶格結構完美的硅單晶,晶體生長過程中不引入任何雜質,其電阻率通常在1000Ω?cm 以上,主要用于制作高反壓器件和光電子器件。
    中子輻照區熔硅單晶(NTDFZ-Silicon)
    區熔硅單晶通過中子輻照可獲得高電阻率均勻性的硅單晶,保證了器件制作的成品率和一致性。主要用于制作硅整流器(SR)、可控硅(SCR)、巨型晶體管(GTR)、晶閘管(GRO)、靜電感應晶閘管(SITH)、絕緣柵雙極晶體管(IGBT)、超高壓二極管(PIN)、 智能功率器件(SMART POWER)、功率集成器件(POWER IC)等,是各類變頻器、整流器、大功率控制器件、新型電力電子器件的主體功能材料,也是多種探測器、傳感器、光電子器件和特殊功率器件等的主體功能材料。
    氣相摻雜區熔硅單晶(GDFZ-Silicon)
    利用雜質的擴散機理,在用區熔工藝拉制硅單晶的過程中加入氣相雜質,從根本上解決了區熔工藝摻雜困難的問題,可得到N型或P型、電阻率范圍0.001-300Ω.cm,電阻率均勻性與中子輻照相當的氣摻硅單晶,其電阻率在適用于制作各類半導體功率器件、絕緣柵雙極晶體管(IGBT)、高效太陽能電池等。
    直拉區熔硅單晶(CFZ-Silicon)
    采用直拉與區熔兩種工藝相結合的方式拉制硅單晶,產品質量介于直拉單晶和區熔單晶之間??蓳饺胩厥庠乩珂墸℅a)、鍺(Ge)等。采用直拉區熔法制備的新一代CFZ太陽能硅片,其各項性能指標均遠優于當前全球光伏產業使用的各類硅片,太陽能電池轉換效率高達24-26%。產品主要應用于特殊結構、背接觸、HIT等特殊工藝制作的高效太陽能電池上,并更為廣泛的用于LED、功率器件、汽車、衛星等眾多產品和領域中。
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